基于NSI标准化工艺平台，提供客户订制化芯片设计、流片服务。
中芯宁波的电源和模拟技术基于现有的低功耗逻辑平台可提供模块架构，为模拟和电源应用提供了较低的成本和优越的性能。该技术包括双极晶体管、高压LDMOS晶体管、精密模拟无源器件等。
这些技术已经主要集中在0.35微米、0.18微米等技术节点上，并具有业界领先的模拟和功率器件。

基于现有工艺技术，利用中芯宁波研发团队在0.18μm, ~0.13μm逻辑、电源管理芯片等先进制程上的工艺研发经验，结合工艺、设计团队的高压模拟芯片工艺研发、产品设计能力，进一步缩小器件尺寸、提升器件可靠性、加入新的不同电压与应用的器件、拓展工艺与产品类型，包括9大类68种，工艺节点从0.8um至5um，涵盖CMOS, Bipolar, BiCMOS, EEPROM, VDMOS, BCD, SOI等众多工艺品种，工作电压范围从3.3/5.5V到600V，乃至1200V，主要用于模拟、模数混合、和射频电路产品制造，高压大功率器件及电路等特种应用。

基于收购的原日银IMP监控复位芯片设计技术，采用成熟的中芯国际工艺平台流片，具有高精度、低功耗、低温漂的特点。该系列产品检测电压涵盖大部分电子产品需求。主要与微处理器(MCU)搭配使用。随着物联网(IoT)的兴起，MCU的应用范围越来越广，连带看门狗监控类芯片的市场规模也逐步攀升。主要用于微处理器复位电路，电池供电系统，上电复位电路，供电检测电路等。

在自有200V/400V SOI BCD设计基础上，结合中芯国际0.18μm、0.13 um PMU工艺，中芯宁波推出了0.18μm 40V power SOI BCD工艺平台，具有导通电阻低、耐压高、可靠性高、噪声与窜扰小，无latch-up效应等优点，是下一代移动快充电源管理芯片的最佳选择。